• 非破坏性测试：无需制备特殊电极，直接接触器件焊盘

• 高灵活性：可快速更换样品或调整磁场/温度参数

• 多参数协同分析：结合电、磁、光、热等多物理场测量

• 磁场灵活可调

• 样品台安装运动形式可选

• 支持多探针座探针

•多样式探针灵活应用；可选DC、RF、光纤探针

一、核心技术参数

◆磁场强度：0T-3T（根据样品台大小和最大磁场强度而定）

◆冷却方式：水冷/自然冷却（由功率决定）

◆磁场均匀性：±0.1% 在5mm×5mm范围内

◆磁场方向：水平/垂直可选

◆磁场稳定性：≤0.1%/h（选配霍尔探头形成闭环，实时反馈控制）

◆探针类型：DC探针、高频探针、光纤探针

◆接触电阻：≤10mΩ（镀金探针）

◆探针座行程：标准配置XYZ±6.5mm、定位精度3μm、其它行程和定位精度可选

◆探针座固定方式：螺丝固定、磁性、气吸

◆样品尺寸：高达6"晶圆（样品直径对磁场大小有影响）

◆位移精度：标准配置XY±12.5mm、Z±5mm、定位精度10μm、可选样品台旋转功能（电动/手动）

◆调整方式：手动/电动

◆样品固定方式：气吸

◆环境控制（可选）：真空/气氛控制、温度选件

二、核心特点

◆无需低温系统，操作便捷；省去液氦/液氮制冷，适合工业级快速测试

◆ 高兼容性，模块化设计：支持多种探针（DC、高频、光纤、磁性）、可集成光学显微镜、拉曼光谱、光电测试模块

◆ 智能化控制：软件控制磁场扫描、数据采集（LabVIEW）

◆工业级稳定性（选件）：抗电磁干扰（EMI）屏蔽设计；抗震结构，适合实验室

三、核心用途

◆磁场依赖性研究

提供可控的静态或动态磁场（方向、强度可调），用于研究材料或器件的磁阻效应（如GMR、TMR）、霍尔效应、磁化曲线、自旋电子学特性等

◆微纳器件电学测试

在磁场环境下测量器件的电流-电压（IV）、电容-电压（CV）、阻抗等特性，适用于半导体器件（如晶体管、二极管）、磁性传感器（如霍尔元件）、自旋阀器件等

◆高温与磁场联用

可结合高温系统，磁场与高温联用，测量材料或者器件高温磁场下的电磁属性

◆光电与磁光测试

搭配光源或激光器，可分析磁场对材料光电流、发光效率（如LED、光伏器件）或磁光效应（如法拉第旋转）的影响

◆科研与工业开发

广泛应用于凝聚态物理、材料科学、集成电路可靠性测试、磁性存储器（MRAM）研发等领域

四、典型应用

◆自旋电子学：测试自旋注入效率或磁隧道结（MTJ）器件的磁电阻

◆ 拓扑材料：研究狄拉克材料在磁场下的量子输运行为

◆ 半导体工艺验证：评估磁场对新型晶体管（如FinFET）性能的影

◆ 传感器校准：标定磁敏传感器的线性度、灵敏度等参

五、配套仪表（选件）：源表（SMU）、锁相放大器、数据采集系统等、电压表、矩阵开关系统、其它可用仪表